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公司核心研發團隊來源于中科院蘇州納米所、清華大學納米中心,在半導體材料公司核心研發團隊來源于中科院蘇州納米所、清華大學納米中心,在半導體材料發團隊來源于中科院蘇州納米所、清華大學納米中心,在半導體材料
2025-12-26
3D NAND 因堆疊層數激增,晶圓中心到邊緣的膜層厚度差異可達 20% 以上,為缺陷埋下隱患。最常見的剝落缺陷,根源在于膜層應力與附著力失衡:沉積...
2026-01-23
洗邊本質是通過消除邊緣工藝偏差,保障晶圓全局的工藝一致性。勻膠時,晶圓在高速旋轉下,光刻膠受離心力作用向邊緣擴散,但受表面張力、晶圓邊緣形貌...
2025-07-21
在MEMS器件的制造流程中,犧牲層去除工藝始終是決定器件良率與可靠性的關鍵環節。這一過程的核心挑戰在于:如何在釋放可動微結構的同時,避免因機...
2025-08-22
1.現有工藝復用優先原則 2,新工藝開發的成本-風險模型 1.腐蝕液配方設計三原則 原則2——工藝窗口寬泛化:±2℃時腐蝕速率變化<5%;HCl體系pH...